[发明专利]基于扩序列的NAND Flash坏块重复利用的方法及装置

摘要

本发明提出了一种基于扩序列的NAND闪存坏块重复利用方法及装置，用于解决现有坏块处理方法中存在的坏块利用率低和适应性差的技术问题。处理方法为：获取原始测试数据；设置初始扩序列码长度L和判决门限P；对原始测试数据做扩序列；将扩序列后的数据写入坏块；从坏块中读出数据；对读出数据进行解扩；对解扩后数据进行恢复；检测恢复数据和原始测试数据是否一致；若一致则实现了坏块重复利用；若不一致则将与L和P对应的n改为n+1，重复上述步骤；处理装置包括：数据获取模块、扩序列模块、数据写入模块、数据读出模块、解扩模块、数据恢复模块和数据检测模块。本发明的坏块利用率高，闪存的写入数据量大，使用寿命长。

主权项

1.一种基于扩序列的NAND Flash坏块重复利用的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)数据获取模块获得外部存储设备中将要写入坏块的数据，得到原始测试数据；(2)设置扩序列码的初始长度L为3，判决门限P为2，其中L＝2n‑1，P＝L‑n+1，n为扩序列码的阶数，且n≥2；(3)扩序列模块利用扩序列码，对原始测试数据进行扩序列，得到扩序列后数据；(4)数据写入模块将扩序列后数据写入NAND Flash的坏块中；(5)数据读出模块读出NAND Flash坏块中的数据，得到待解扩数据；(6)解扩模块利用扩序列码对待解扩数据进行解扩处理，得到解扩后数据；(7)数据恢复模块依据判决门限P对每L比特数据依次进行判决，得到恢复数据；(8)数据检测模块将恢复数据和原始测试数据进行比对，并判断该两种数据是否一致，若是，则实现了坏块重复利用，结束；若否，则将n改为n+1，执行步骤3。