[发明专利]一种可自动控制成形终点的碲镉汞刻蚀掩膜及其去除方法在审
| 申请号： | 201611061341.5 | 申请日： | 2016-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN106449377A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 叶振华;陈奕宇;孙常鸿;刘棱枫;邢雯;马伟平;林春;胡晓宁;丁瑞军;何力 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司31213 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 200083 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种可自动控制成形终点的碲镉汞刻蚀掩膜及其去除方法。掩膜的生长方法采用磁控溅射生长硫化锌牺牲层以及二氧化硅掩膜层，掩膜的成形采用电感耦合等离子体技术。通过加入牺牲层，掩膜刻蚀会自动于牺牲层停止，从而可以方便地控制掩膜刻蚀的终点。掩膜的去除方法采用浓盐酸浸泡，通过去除牺牲层，可以将掩膜整体完全去除。该掩膜使得干法刻蚀技术可以被用于二氧化硅掩膜的成形，能够解决现有的湿法腐蚀掩膜工艺面临的尺寸均匀性差，侧壁倾斜，工艺窗口小等缺点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 自动控制 成形 终点 碲镉汞 刻蚀 及其 去除 方法 | ||
【主权项】：
一种可自动控制成形终点的碲镉汞刻蚀掩膜，由硫化锌层(2)以及二氧化硅层(1)构成，其特征在于：在所刻蚀的碲镉汞(3)上依次沉积掩膜牺牲层硫化锌层(2)和二氧化硅层(1)；所述的硫化锌牺牲层硫化锌(2)的厚度为50‑200纳米；所述的二氧化硅厚度为0.5‑2微米。
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