[发明专利]一种带应力平衡结构层的GaN基复合衬底及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201611061521.3 申请日: 2016-11-28
公开(公告)号: CN106449912A 公开(公告)日: 2017-02-22
发明(设计)人: 汪青;刘丹丹;张国义 申请(专利权)人: 东莞市中镓半导体科技有限公司
主分类号: H01L33/02 分类号: H01L33/02;H01L33/12
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司44102 代理人: 罗晓林;杨桂洋
地址: 523000 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 一种带应力平衡结构层的GaN基复合衬底及其制备方法,该衬底包括导热导电转移衬底、键合介质层、GaN基外延薄膜和应力平衡结构层,该应力平衡结构层设在导热导电转移衬底与键合介质层之间,或者导热导电转移衬底背面,或者键合介质层之间,或者GaN基外延薄膜内部,或者键合介质层与GaN基外延薄膜之间。本发明通过设置应力平衡结构层,有效减小衬底内的残余应力和翘曲变形,能显著改善转移实现的GaN复合衬底的各项性能、GaN同质外延质量以及后期芯片工艺难度,可以有效控制成本。
搜索关键词: 一种 应力 平衡 结构 gan 复合 衬底 及其 制备 方法
【主权项】:
一种带应力平衡结构层的GaN基复合衬底,其特征在于,所述衬底包括由下往上依次设置的导热导电转移衬底、键合介质层和GaN基外延薄膜,以及设置在导热导电转移衬底与键合介质层之间的应力平衡结构层。
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