[发明专利]一种带应力平衡结构层的GaN基复合衬底及其制备方法在审
| 申请号： | 201611061521.3 | 申请日： | 2016-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN106449912A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 汪青;刘丹丹;张国义 | 申请（专利权）人： | 东莞市中镓半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/12 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司44102 | 代理人： | 罗晓林;杨桂洋 |
| 地址： | 523000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种带应力平衡结构层的GaN基复合衬底及其制备方法，该衬底包括导热导电转移衬底、键合介质层、GaN基外延薄膜和应力平衡结构层，该应力平衡结构层设在导热导电转移衬底与键合介质层之间，或者导热导电转移衬底背面，或者键合介质层之间，或者GaN基外延薄膜内部,或者键合介质层与GaN基外延薄膜之间。本发明通过设置应力平衡结构层，有效减小衬底内的残余应力和翘曲变形，能显著改善转移实现的GaN复合衬底的各项性能、GaN同质外延质量以及后期芯片工艺难度，可以有效控制成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应力 平衡 结构 gan 复合 衬底 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种带应力平衡结构层的GaN基复合衬底，其特征在于，所述衬底包括由下往上依次设置的导热导电转移衬底、键合介质层和GaN基外延薄膜，以及设置在导热导电转移衬底与键合介质层之间的应力平衡结构层。
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