[发明专利]等离子体清洗方法、封装方法、功率模块和空调器有效
| 申请号： | 201611062003.3 | 申请日： | 2016-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN106449371B | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | 黄锦生;王新雷;冯宇翔 | 申请（专利权）人： | 广东美的制冷设备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 | 代理人： | 尚志峰;汪海屏 |
| 地址： | 528311 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种等离子体清洗方法、封装方法、功率模块和空调器，其中，等离子体清洗方法包括：采用包括氧气和氩气的混合气体对基板和/或功率模块进行等离子体清洗，其中，氧气的流量范围为0～500sccm，氩气的流量范围为0～200sccm，等离子体清洗过程的射频功率范围为0～1000W，其中，基板和/或功率器件靠近设置于等离子体清洗的腔室内的激励端或地端。通过本发明技术方案，有效地去除了基板上的助焊剂和黏胶等有机物，以及粉尘，使得基线与封装材料之间的结合力提高，降低了基板与封装外壳的接触面的表面应力，因此使得上述功率模块结构稳定，进一步地提高了功率模块的散热性能耐湿热性能和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 清洗 方法 封装 功率 模块 空调器 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体清洗方法，其特征在于，包括：采用包括氧气和氩气的混合气体对基板和/或功率器件进行等离子体清洗，其中，所述基板和/或所述功率器件靠近设置于所述等离子体清洗的腔室内的激励端或地端；所述氧气的流量为80sccm，所述氩气的流量为100sccm，所述等离子体清洗过程的射频功率为500W，所述等离子体清洗过程的时间为800秒；或所述氧气的流量为160sccm，所述氩气的流量为80sccm，所述等离子体清洗过程的射频功率为180W或210W，所述等离子体清洗过程的时间为300秒；或所述氧气的流量为80sccm，所述氩气的流量为160sccm，所述等离子体清洗过程的射频功率为210W，所述等离子体清洗过程的时间为180秒；或所述氧气的流量为80sccm，所述氩气的流量为80sccm，所述等离子体清洗过程的射频功率为270W，所述等离子体清洗过程的时间为300秒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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