[发明专利]多波长半导体分布式反馈激光器阵列及其制作方法有效
| 申请号： | 201611063646.X | 申请日： | 2016-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN108110613B | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 周旭亮;李召松;王梦琦;王嘉琪;于红艳;潘教青;王圩 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/12 | 分类号： | H01S5/12;H01S5/22;H01S5/323 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种多波长半导体分布式反馈激光器阵列及其制备方法，其中制备方法包括以下步骤：在衬底上依次外延生长缓冲层、有源区和光栅层；通过塔尔博特干涉曝光方法在光栅层中形成不同周期的光栅以对应不同的发射波长；在光栅层上依次外延生长覆盖层和接触层；刻蚀形成激光器阵列的脊台结构；掩埋、制作电极，完成器件制备。本发明中的塔尔博特干涉曝光使用不同周期的光刻板设计，通过一次曝光完成不同周期光栅的制作，从而实现半导体激光器阵列的多波长，减少了工艺步骤，提高了成品率；本发明可以实现激光器多波长直接输出、波导耦合输出等。 | ||
| 搜索关键词： | 多波长 光栅层 半导体分布式 反馈激光器 外延生长 制备 制作 半导体激光器阵列 激光器阵列 光栅 波导耦合 发射波长 工艺步骤 器件制备 一次曝光 周期光栅 曝光 输出 激光器 成品率 覆盖层 光刻板 缓冲层 接触层 电极 干涉 衬底 脊台 刻蚀 源区 掩埋 | ||
【主权项】：
1.一种多波长半导体分布式反馈激光器阵列的制备方法，其中所述激光器阵列为由多个发光单元形成的激光器阵列，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、在衬底上外延缓冲层、有源区和光栅层；步骤2、通过塔尔博特干涉曝光和刻蚀方法在光栅层中形成光栅，其中，所述塔尔博特干涉曝光方法为使用两个以上周期的光刻版设计，通过一次曝光制备两种以上周期的所述光栅，所述两种以上的周期对应两种以上的发射波长；步骤3、完成所述激光器阵列的制备。
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