[发明专利]空白掩模在审
| 申请号： | 201611063823.4 | 申请日： | 2016-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN106896637A | 公开（公告）日： | 2017-06-27 |
| 发明（设计）人： | 涂志强;陈俊郎 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/50 | 分类号： | G03F1/50 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种空白掩模及一种掩模。所述空白掩模包含衬底及嵌入所述衬底中的蚀刻停止层。所述掩模包含具有所述经嵌入的蚀刻停止层的所述空白掩模及形成于所述空白掩模中的多个凹槽。所述凹槽使所述经嵌入的蚀刻停止层曝光。 | ||
| 搜索关键词： | 空白 | ||
【主权项】：
一种空白掩模，其包括：衬底；及蚀刻停止层，其被嵌入所述衬底中，所述蚀刻停止层具有彼此相对的第一表面及第二表面，且所述第一表面及所述第二表面被所述衬底覆盖。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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