[发明专利]一种半导体器件及制备方法、电子装置

摘要

本发明涉及一种半导体器件及制备方法、电子装置。所述方法包括：提供第一晶圆，所述第一晶圆的表面形成有具有开口的表面材料层，在所述开口表面以及所述表面材料层表面形成有第一阻挡层和接合材料的种子层；在所述开口中依次形成第一接合材料层和第一焊料层至所述表面材料层的顶部；去除所述表面材料层表面上的所述第一阻挡层和接合材料的种子层；提供第二晶圆并与所述第一晶圆相接合。在所述方法中通过在接合区域中形成接合材料层和焊料层(Solder layer)，其中采用焊料层(Solder layer)可以减小接合材料层(例如Cu)表面的粗糙度要求，减少Cu平坦化的要求，降低键合温度和退火温度，通过将焊料层作为接合材料，可以降低键合工艺难度，提高工艺的良率。

主权项

一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供第一晶圆，在所述第一晶圆的表面形成有具有开口的表面材料层，在所述开口的表面以及所述表面材料层上形成有第一阻挡层和接合材料的种子层；在所述开口中依次形成第一接合材料层和第一焊料层至所述表面材料层的顶部；去除所述表面材料层表面上的所述第一阻挡层和所述种子层；提供第二晶圆并与所述第一晶圆相接合。