[发明专利]一种在Al4O4C基体表面制备AlN晶须的方法

摘要

一种在Al₄O₄C基体表面制备AlN晶须的方法。其技术方案是：将所述Al₄O₄C基体装入坩埚内，再将所述坩埚置于管式刚玉炉中，在氮气气氛和1000~1800℃条件下保温0~600min，冷却至室温，即在Al₄O₄C基体表面制得AlN晶须。所述Al₄O₄C基体为Al₄O₄C粉体、Al₄O₄C坯体和Al₄O₄C烧结体中的一种。其中：所述Al₄O₄C粉体的Al₄O₄C含量≥98.0wt%，粒度≤150μm。所述Al₄O₄C坯体是在5~50MPa条件下将Al₄O₄C粉料压制成型；所述Al₄O₄C烧结体是将Al₄O₄C坯体在氩气、或真空、或热压条件下，升温至1400~1800℃，保温0~300min，冷却至室温。本发明不需要添加催化剂，工艺简单；所制备的AlN晶须尺寸可控和收得率高。

主权项

1.一种在Al4O4C基体表面制备AlN晶须的方法，其特征在于将所述Al4O4C基体装入坩埚内，再将所述坩埚置于管式刚玉炉中，在氮气气氛和1000～1800℃条件下保温30～600min，冷却至室温，即在Al4O4C基体表面制得AlN晶须；所述Al4O4C基体为Al4O4C粉体、Al4O4C坯体和Al4O4C烧结体中的一种；所述Al4O4C粉体的Al4O4C含量≥98.0wt％，粒度≤150μm；所述Al4O4C坯体是在5～50MPa条件下将Al4O4C粉料压制成型；所述Al4O4C烧结体是将Al4O4C坯体在氩气、真空或热压条件下，升温至1400～1800℃，保温0～300min，冷却至室温。