[发明专利]多栅极装置的制造方法

摘要

本揭露描述了一种多栅极装置的制造方法，包括从基板形成延伸的第一鳍状结构。第一鳍状结构具有源极/漏极区域和沟道区域，并且第一鳍状结构由磊晶层的第一堆叠形成，其中，磊晶层包括具有由具有第二组成的第二磊晶层插入的第一组成的第一磊晶层。此方法还包括从第一鳍状结构的源极/漏极区域去除第二磊晶层以形成第一间隙，用介电层覆盖第一磊晶层的一部分，并且用介电材料填充第一间隙并且生长另一磊晶材料在每个所述第一磊晶层的至少两个表面上，以形成第一源极/漏极结构，同时所述介电材料填充所述第一间隙。

主权项

一种多栅极装置的制造方法，其特征在于包含：形成一第一鳍状结构于一基板之上，该第一鳍状结构有一源极/漏极区域和一通道区域，其中该第一鳍状结构是由有多个磊晶层的一第一堆叠所形成，其包含由有一第一部分的多个第一磊晶层插入于有一第二部分的多个第二磊晶层；移除位于该第一鳍状结构的该源极/漏极区域的所述多个第二磊晶层以形成多个第一缺口；覆盖一介电层于所述多个第一磊晶层的一部分，并且填入该介电层于所述多个第一缺口；以及成长另一磊晶材料于每个所述第一磊晶层的至少两表面以形成一第一源极/漏极结构且该介电材料填入所述多个第一缺口。