[发明专利]一种半导体器件及制备方法、电子装置有效
| 申请号： | 201611064783.5 | 申请日： | 2016-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN108117042B | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 陆建刚;陈福成 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | B81C3/00 | 分类号： | B81C3/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及制备方法、电子装置。所述方法包括：提供第一晶圆，所述第一晶圆具有相对设置的第一表面和第二表面，在所述第一表面上形成有第一键合环，在所述第一键合环外侧的所述第一表面的边缘形成有第一切割槽；提供第二晶圆，所述第二晶圆的表面形成有第二键合环；将所述第一键合环和所述第二键合环键合，以将所述第一晶圆和所述第二晶圆键合；减薄所述第一晶圆的所述第二表面至露出所述第一切割槽，以露出所述第二晶圆的切割道区域；对所述第一晶圆和所述第二晶圆进行切割。本发明的优点在于：1.简化切割工艺流程(省略盲切(blind dicing)及多次对准操作)并减少切割频率，有效减少工艺成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制备 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供第一晶圆，所述第一晶圆具有相对设置的第一表面和第二表面，在所述第一表面上形成有第一键合环，在所述第一键合环外侧的所述第一表面的边缘形成有第一切割槽；提供第二晶圆，所述第二晶圆的表面形成有第二键合环；将所述第一键合环和所述第二键合环键合，以将所述第一晶圆和所述第二晶圆键合；减薄所述第一晶圆的所述第二表面至露出所述第一切割槽，以露出所述第二晶圆的切割道区域；对所述第一晶圆和所述第二晶圆进行切割。
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