[发明专利]一种半导体器件及其制备方法、电子装置有效
| 申请号： | 201611064784.X | 申请日： | 2016-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN108121933B | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 高燕 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G06K9/00 | 分类号： | G06K9/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括：提供基底，所述基底包括指纹识别像素区，在所述指纹识别像素区中形成有层间介电层；图案化所述层间介电层，以在所述层间介电层中形成侧壁倾斜的开口；在所述开口和所述层间介电层上共形沉积底部电极，以使所述底部电极中具有侧壁倾斜的第一凹槽图案；依次共形沉积钝化层和焊盘层，以覆盖所述底部电极，同时在所述焊盘层中形成侧壁倾斜的第二凹槽图案。本发明方法可使指纹识别电容器下极板面积增大，从而增大顶层金属和手指指纹间的电容，改善指纹识别灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供基底，所述基底包括指纹识别像素区，在所述指纹识别像素区中形成有层间介电层；图案化所述层间介电层，以在所述层间介电层中形成侧壁倾斜的开口；在所述开口和所述层间介电层上共形沉积底部电极，以使所述底部电极中具有侧壁倾斜的第一凹槽图案；依次共形沉积钝化层和焊盘层，以覆盖所述底部电极，同时在所述焊盘层中形成侧壁倾斜的第二凹槽图案。
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