[发明专利]具有掩埋隔离层的衬底及其形成方法

摘要

本发明涉及具有掩埋隔离层的衬底及其形成方法。一种用于制造半导体器件的方法包括在第一横向外延过生长区域中形成开口以暴露在开口内的半导体衬底的表面。该方法还包括在开口内的半导体衬底的暴露的表面处形成绝缘层以及使用横向外延生长工艺，使用第二半导体材料填充开口以形成第二横向外延过生长区域。

主权项

一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：在半导体衬底之上形成第一掩模并且从所述第一掩模之间生长第一半导体材料以形成第一横向外延过生长区域；在所述第一横向外延过生长区域中形成开口以暴露在所述开口内的所述半导体衬底的表面；在所述开口内的所述半导体衬底的暴露的表面处形成绝缘区域，其中所述绝缘区域与所述第一掩模的一部分重叠；以及使用横向外延生长工艺，使用第二半导体材料填充所述开口以形成第二横向外延过生长区域；在形成所述开口的同时，在所述第一横向外延过生长区域之一中形成第二开口以暴露在所述第二开口内的所述半导体衬底的另一表面，其中所述开口在芯片区域中形成并且所述第二开口在切割道中形成，并且其中所述开口具有第一关键开口尺寸以及所述第二开口具有第二关键开口尺寸，其中所述第一关键开口尺寸比所述第二关键开口尺寸小；以及使用所述横向外延生长工艺，用所述第二半导体材料填充所述第二开口，其中所述第二半导体材料在所述切割道中的厚度小于所述第二半导体材料在所述芯片区域中的厚度。