[发明专利]一种逆阻型氮化镓高电子迁移率晶体管在审
| 申请号： | 201611065159.7 | 申请日： | 2016-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN106449747A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 陈万军;施宜军;崔兴涛;刘超;刘杰;胡官昊;周琦;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体功率器件制备技术领域，特别涉及一种逆阻型氮化镓高电子迁移率晶体管。本发明主要是针对高效功率开关器件的主要性能指标(导通电阻、漏极开启电压、反向耐压、功耗)，提出了具有混合漏极的氮化镓新器件结构。本发明所提出的增强型AlGaN/GaN HEMT器件具有高反向阻断能力、低漏极开启电压、低导通电阻和低功耗等优点，尤其适用于双向开关中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 逆阻型 氮化 电子 迁移率 晶体管 | ||
【主权项】：
一种逆阻型氮化镓高电子迁移率晶体管，包括从下至上依次层叠设置的衬底(1)、GaN层(2)和MGaN层(3)，所述GaN层(2)和MGaN层(3)形成异质结；所述MGaN层(3)上层两端分别具有源极结构和漏极结构，在源极结构和漏极结构之间的MGaN层(3)上层具有栅极结构；所述栅极结构包括绝缘栅介质(5)和金属栅电极(6)，所述MGaN层(3)上层具有第一凹槽(4)，绝缘栅介质(5)位于第一凹槽(4)的底部和侧壁，且绝缘栅介质(5)沿MGaN层(3)上表面向两侧延伸至源极结构和漏极结构接触，所述金属栅电极(6)位于第一凹槽(4)中；所述源极结构为嵌入MGaN层(3)上层且形成欧姆接触的金属源电极(7)；所述漏极结构包括欧姆接触(8)与金属(9)，且金属(9)位于靠近栅极结构的一侧；所述金属(9)位于第二凹槽(10)中，且第二凹槽(10)的底部和侧壁具有绝缘栅介质(5)，所述欧姆接触(8)与金属(9)并列设置，且欧姆接触(8)的侧面与第二凹槽(10)的侧壁连接，所述欧姆接触(8)与金属(9)之间电气连接；所述MGaN层(3)中的M元素为除Ga之外的Ⅲ族元素。
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