[发明专利]一种MIM电容器结构的制造方法有效
| 申请号： | 201611066420.5 | 申请日： | 2016-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN106449372B | 公开（公告）日： | 2019-04-30 |
| 发明（设计）人： | 王汉清 | 申请（专利权）人： | 新昌县诺趣智能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京中索知识产权代理有限公司 11640 | 代理人： | 宋涛 |
| 地址： | 312500 浙江省绍兴市新*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种MIM电容器结构的制造方法，该方法制造的MIM电容器结构通过在衬底的背面形成凹槽，然后在凹槽中形成电容器可以减小整体结构的厚度，并且利用边缘断开的导电导热层进行电连接和散热，保证封装结构的散热效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mim 电容器 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种MIM电容器结构的制造方法，其特征在于，包括：（1）提供半导体衬底，所述半导体衬底具有相对的上表面和下表面以及位于上表面的多个焊盘和形成于所述上表面的功能器件；（2）形成覆盖所述上表面的阻焊层，并通过刻蚀露出所述多个焊盘和所述上表面的边缘位置；（3）形成与所述多个焊盘相对应的多个焊球；（4）在所述边缘位置形成围绕所述阻焊层的金属导热层，所述金属导热层断开为多个分立的导电部分，形成所述金属导热层包括：选择性在所述边缘位置形成一金属层，然后刻蚀出多个隔离沟道，再在所述多个隔离沟道中填充绝缘材料；（5）形成电连接所述多个焊球中的至少一个与所述多个导电部分中的至少一个的第一导电图案；（6）在所述下表面形成凹槽；（7）在凹槽中形成MIM电容器结构；（8）形成电连接所述金属导热层的并贯穿所述上表面和下表面的多个导电导热通孔；（9）形成电连接所述多个导电导热通孔中的至少一个与所述MIM电容器的第二导电图案。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新昌县诺趣智能科技有限公司，未经新昌县诺趣智能科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611066420.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
