[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板有效
| 申请号： | 201611066990.4 | 申请日： | 2016-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN106601786B | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 田金鹏;张毅先;任思雨;苏君海;李建华 | 申请（专利权）人： | 信利（惠州）智能显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/22;H01L29/24;H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 516029 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提出一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板，其中该薄膜晶体管包括：基板、有源层、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层及源漏极，其特征在于，还包括设置在所述有源层上方的至少一层金属氧化物半导体层。上述薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板，通过引入金属氧化物半导体，在晶体管的垂直方向构建弱反型异质结，纵向异质结弱反型的特性在水平方向引入窄带高阻区，避开了结型场效应晶体管耗尽型的特性，达到了抑制漏电流、调节阀值电压的目的。同时纵向异质结反型电荷积累的特点在水平方向表现出大电流特性，实现了高开关比，从而实现了N沟道薄膜晶体管性能方面的提升。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制备 方法 阵列 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括基板、有源层、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层及源漏极，其特征在于，还包括设置在所述有源层上方的至少一层金属氧化物半导体层。
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