[发明专利]一种钒掺杂的三氧化钨电致变色薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201611068704.8 | 申请日： | 2016-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN106587654A | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 王诗铭;金智恩;刘琳;郭前程;曲威 | 申请（专利权）人： | 辽宁大学 |
| 主分类号： | C03C17/34 | 分类号： | C03C17/34 |
| 代理公司： | 沈阳杰克知识产权代理有限公司21207 | 代理人： | 胡洋 |
| 地址： | 110000 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开一种钒掺杂的三氧化钨电致变色薄膜，制备方法如下1)在FTO玻璃上制备TiO2薄膜基底层；2)制备含V和W的多酸盐；3)将含V和W的多酸盐配置成浓度为10‑3mol L‑1数量级的水溶液，并用HCl调节pH值为1～3；4)利用电化学方法将含V和W的多酸盐沉积到步骤1)制备的带有TiO2薄膜基底层的FTO玻璃上；5)将电沉积后的导电基片取出，用去离子水，乙醇冲洗，热风吹干，随后置于马弗炉中，于空气气氛下进行高温烧结；自然冷却到室温，即可得到相应的钒掺杂的WO3电致变色薄膜。具有工艺简单、绿色环保、应用范围广、变色性能稳定、调光效果好、着色和褪色响应较快等优势。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 氧化钨 变色 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种钒掺杂的三氧化钨电致变色薄膜，其特征在于，制备方法如下：1)在FTO玻璃上制备TiO2薄膜基底层；2)制备含V和W的多酸盐；3)将含V和W的多酸盐配置成浓度为10‑3mol L‑1数量级的水溶液，并用HCl调节pH值为1～3；4)利用电化学方法将含V和W的多酸盐沉积到步骤1)制备的带有TiO2薄膜基底层的FTO玻璃上；5)将电沉积后的导电基片取出，用去离子水，乙醇冲洗，热风吹干，随后置于马弗炉中，于空气气氛下进行高温烧结；自然冷却到室温，即可得到相应的钒掺杂的WO3电致变色薄膜。
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