[发明专利]三维介孔碳‑硅酸钴、制备方法及其应用在审
| 申请号： | 201611068757.X | 申请日： | 2016-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN106449150A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 庞欢;邵瑾莹;李欣冉;魏积蕾;肖潇 | 申请（专利权）人： | 扬州大学 |
| 主分类号： | H01G11/30 | 分类号： | H01G11/30;H01G11/32;H01G11/86 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225009 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 三维介孔碳‑硅酸钴、制备方法及其应用，属于超级电容器材料制备技术领域，将枯竹叶洗净、剪碎，在惰性气氛下煅烧，得到黑色粉末；将黑色粉末分散于浓度盐酸水溶液中，离心后，取固相干燥，得到碳‑二氧化硅粉末；再将碳‑二氧化硅粉末、钴盐和蒸馏水混合进行水热反应得到固体样品；将固体样品用去离子水和无水乙醇清洗后干燥，得形貌均一、表面堆叠均匀的三维介孔碳‑硅酸钴材料。将聚四氟乙烯、乙炔黑、三维介孔碳‑硅酸钴和异丙醇混合后滴涂至泡沫镍薄片上，干燥后压片，制得具有较高的比电容和长循环寿命的超级电容器电极。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 介孔碳 硅酸 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
三维介孔碳‑硅酸钴，其特征在于：在具有生物质孔洞的三维介孔碳表面堆叠有硅酸钴纳米片，在所述生物质孔洞内分布硅酸钴纳米片。
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