[发明专利]一种优化SD卡读写性能的方法、装置和一种SD卡有效

专利信息
申请号: 201611069077.X 申请日: 2016-11-28
公开(公告)号: CN106527998B 公开(公告)日: 2019-05-03
发明(设计)人: 曾培楷;张静 申请(专利权)人: 建荣半导体(深圳)有限公司;建荣集成电路科技(珠海)有限公司;珠海煌荣集成电路科技有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 深圳中一专利商标事务所 44237 代理人: 彭海民
地址: 518000 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明属于数据存储领域,提供一种优化SD卡读写性能的方法、装置和一种SD卡,以提高控制器的缓存区的利用率,进而提高SD卡读写速度。所述方法包括:实时监测控制器的缓存区使用情况;若缓存区存在缓存碎片,则将缓存碎片创建为缓存块;当SD接口模块从SD接口收到数据时,通知SD接口模块将从SD接口收到的数据缓存到创建的缓存块中。本发明提供的技术方案使得数据能够继续被正常接收而不会导致SD接口阻塞,提高了控制器的缓存的利用率,提高了SD卡的读写速度。
搜索关键词: 一种 优化 sd 读写 性能 方法 装置
【主权项】:
1.一种优化SD卡读写性能的方法,其特征在于,所述方法包括:实时监测控制器的缓存区使用情况;若所述缓存区存在缓存碎片,则将所述缓存碎片创建为缓存块,所述缓存碎片是指缓存区中大小比标准的缓存块的大小要小的一段内存;当SD接口模块从SD接口收到数据时,通知所述SD接口模块将所述从SD接口收到的数据缓存到所述创建的缓存块中。
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