[发明专利]芯片电容器及其制造方法有效
| 申请号： | 201611069178.7 | 申请日： | 2012-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN106469610B | 公开（公告）日： | 2020-03-20 |
| 发明（设计）人： | 冈田博行;不破保博 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/015 | 分类号： | H01G4/015;H01G4/33;H01G4/38;H01G4/40;H01G5/011;H01G5/38;H01L27/01;H01L49/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 齐秀凤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供能以公共的设计来容易且迅速地与多种电容值对应的芯片电容器及其制造方法。芯片电容器(1)包含：基板(2)、配置于基板上的第1外部电极(3)、第2外部电极(4)、电容器元件(C1～C19)及熔断器(F1～F9)。电容器元件(C1～C19)包含：第1电极膜(11)、第1电极膜(11)上的第1电容膜(12)、在第1电容膜(12)上与第1电极膜(11)对置的第2电极膜(13)、第2电极膜(13)上的第2电容膜(17)、在第2电容膜(17)上与第2电极膜(13)对置的第3电极膜(16)，电容器元件连接于第1外部电极及第2外部电极之间。熔断器(F1～F9)分别插在电容器元件与第1外部电极或第2外部电极之间，能将多个电容器元件分别隔出。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 电容器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种芯片电容器，其特征在于，包括：基板；第1外部电极，其配置于基板的一个表面侧；第2外部电极，其配置于基板的一个表面侧；下部电极膜，其从所述第1外部电极以及所述第2外部电极之间的区域延伸至所述第2外部电极与所述基板之间而形成于所述基板的一个表面侧，具有与所述第1外部电极相接的上表面；电容膜，其从所述第1外部电极以及所述第2外部电极之间的区域延伸至所述第2外部电极与所述基板之间而形成于所述下部电极膜上；和上部电极膜，其从所述第1外部电极以及所述第2外部电极之间的区域延伸至所述第2外部电极与所述基板之间而形成于所述电容膜上，并且与所述下部电极膜对置，具有与所述第2外部电极相接的上表面。
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