[发明专利]非平面栅极全包围器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201611070116.8 | 申请日： | 2011-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN106847875B | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | W·拉赫马迪;R·皮拉里塞泰;V·H·勒;J·T·卡瓦列罗斯;R·S·周;J·S·卡治安 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/165;H01L29/423;H01L29/78;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 陈桂香;曹正建 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 说明了一种非平面栅极全包围器件及其制造方法。在一个实施例中，器件包括衬底，所述衬底包含具有第一晶格常数的顶部表面。嵌入式外延源极区和嵌入式外延漏极区形成在所述衬底的顶部表面上。嵌入式外延源极区和嵌入式外延漏极区具有与所述第一晶格常数不同的第二晶格常数。具有第三晶格的沟道纳米线形成于嵌入式外延源极区和嵌入式外延漏极区之间，并与它们耦合。在一个实施例中，第二晶格常数和第三晶格常数与第一晶格常数不同。沟道纳米线包括最底部的沟道纳米线，底部栅极隔离物形成于最底部的沟道纳米线下方的衬底的顶部表面上。栅极电介质层形成于每一条沟道纳米线之上和周围。栅极电极形成于栅极电介质层上，并围绕每一条沟道纳米线。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 栅极 包围 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：包括第一材料的半导体衬底，所述第一材料具有第一晶格常数；位于所述半导体衬底之上的源极区，所述源极区包括第二材料，所述第二材料具有与所述第一晶格常数不同的第二晶格常数；位于所述半导体衬底之上的漏极区，所述漏极区包括所述第二材料；纳米线，所述纳米线被耦合至所述源极区且被耦合至所述漏极区，所述纳米线包括第三材料，所述第三材料具有与所述第二晶格常数相同的第三晶格常数；栅极电介质层，所述栅极电介质层位于所述纳米线的至少一部分的周围；以及栅极电极，所述栅极电极位于所述纳米线的至少一部分的周围，并且所述栅极电极至少通过所述栅极电介质层与所述纳米线分隔开。
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