[发明专利]超结MOS管的制造方法在审
| 申请号： | 201611070751.6 | 申请日： | 2016-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN106531634A | 公开（公告）日： | 2017-03-22 |
| 发明（设计）人： | 张栋 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所31283 | 代理人： | 薛琦,张冉 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超结MOS管的制造方法，包括以下步骤S1、制作超结MOS管的晶圆；S2、对所述晶圆进行辐照；S3、对所述晶圆进行退火。本发明的超结MOS管的制造方法，可以降低电流对电荷平衡态的影响，使所述超结MOS管具有更好的稳定性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | mos 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种超结MOS管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、制作超结MOS管的晶圆；S2、对所述晶圆进行辐照；S3、对所述晶圆进行退火。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
