[发明专利]发光二极管芯片、具有此的发光器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201611070944.1 | 申请日： | 2014-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN106449927B | 公开（公告）日： | 2018-10-30 |
| 发明（设计）人： | 金昶勋;金相民;印致贤;曹弘锡;朴大锡 | 申请（专利权）人： | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L23/488;H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 李盛泉;孙昌浩 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开一种发光二极管芯片、具有此的发光器件及其制造方法。根据一个实施例的发光二极管芯片包括：第一图案区域，具有至少一个凹陷部；第二图案区域，包围所述第一图案区域。所述第一图案区域具有依次层叠于基板上的第一导电型氮化物系半导体层、活性层、第二导电型氮化物系半导体层、上部电极层以及上部凸块层。所述第二图案区域具有层叠于所述基板上的第一导电型氮化物系半导体层、下部电极层以及下部凸块层。所述第一图案区域在与所述下部凸块层相对的方向上具有至少一个陷入突起图案。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 芯片 具有 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管芯片，包括：第一图案层区域；第二图案层区域，布置于所述第一图案层区域的内部；第三图案层区域，包围所述第一图案层区域，其中，所述第一图案层区域具有层叠于基板上的第一导电型氮化物系半导体层以及下部电极层，所述第二图案层区域和所述第三图案层区域具有依次层叠于所述基板上的第一导电型氮化物系半导体层、活性层、第二导电型氮化物系半导体层以及上部电极层，所述第二图案层区域的所述活性层的发光与所述第三图案层区域的所述活性层的发光被互不相同的施加电流所控制。
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