[发明专利]非易失性存储器和包括非易失性存储器的存储装置有效
申请号: | 201611071045.3 | 申请日: | 2016-11-28 |
公开(公告)号: | CN107045892B | 公开(公告)日: | 2023-08-29 |
发明(设计)人: | 任琫淳;尹廷允;金志锡;朴相元 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C16/34 | 分类号: | G11C16/34;G11C16/10 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邵亚丽;贾洪菠 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 公开了非易失性存储器和包括非易失性存储器的存储装置。存储装置包括非易失性存储器和控制器。控制器向非易失性存储器提供第一数据、地址和编程开始命令,并在向非易失性存储器提供编程开始命令后向非易失性存储器提供第二数据。非易失性存储器被配置为响应于编程开始命令而启动基于第一数据的编程操作并在向非易失性存储器提供第二数据时基于第一数据和第二数据继续执行编程操作。非易失性存储器被配置为基于第一数据执行第一编程循环的编程和验证读取,第一编程循环的验证读取使用一个验证电压来执行。 | ||
搜索关键词: | 非易失性存储器 包括 存储 装置 | ||
【主权项】:
一种存储装置,包括:非易失性存储器;以及控制器,向所述非易失性存储器提供第一数据、地址和编程开始命令,并在向所述非易失性存储器提供所述编程开始命令后向所述非易失性存储器提供第二数据,其中:所述非易失性存储器被配置为响应于所述编程开始命令而启动基于所述第一数据的编程操作,并在所述第二数据提供至所述非易失性存储器时基于所述第一数据和所述第二数据继续执行所述编程操作,所述编程操作包括多个编程循环,每个编程循环都包括编程、使用不同验证电压重复的验证读取、以及转储,在所述转储中验证读取的结果被应用至所述编程操作所应用于的每个存储单元的编程数据,以及所述非易失性存储器被配置为基于所述第一数据执行第一编程循环的编程和验证读取,所述第一编程循环的验证读取使用一个验证电压来执行。
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