[发明专利]一种厘米量级单晶三氧化钼纳米带的制备方法有效
| 申请号： | 201611071670.8 | 申请日： | 2016-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN106629850B | 公开（公告）日： | 2018-05-18 |
| 发明（设计）人： | 黄青松;王冠翊;王良瑞;唐佳琪 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | C01G39/02 | 分类号： | C01G39/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610065 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种厘米量级单晶三氧化钼纳米带的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）将钼源固定在坩埚中；（2）将Y |
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| 搜索关键词： | 一种 厘米 量级 单晶三 氧化钼 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种厘米量级单晶三氧化钼纳米带的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）将钼源固定在坩埚中；（2）将Y2 O3 粉末覆盖在所述钼源的表面上，所述钼源为导电含钼材料板；（3）将坩埚放置在磁悬浮熔炼炉的线圈中，打开电源启动磁悬浮炉，升温至1000℃~2000℃内，保温10 秒 ~ 100分钟；（4）关闭电源，冷却至室温后取出坩埚，在坩埚中收集白色团絮状物质，该絮状物质即为厘米量级单晶三氧化钼纳米带。
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