[发明专利]SiC功率MOSFET器件栅氧化层的制备方法及SiC功率MOSFET器件有效
| 申请号： | 201611071766.4 | 申请日： | 2016-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN106340448B | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 周卫;严利人;刘道广;刘志弘 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/78;C23C16/44 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 李相雨 |
| 地址： | 100084 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种SiC功率MOSFET器件栅氧化层的制备方法、SiC功率MOSFET器件及其制备方法，该方法包括：在SiC衬底晶圆的表面，外延生长硅薄膜层；其中，所述硅薄膜层完全覆盖所述SiC衬底晶圆的表面；对所述硅薄膜层进行氧化，形成栅氧化层；其中，外延生长硅薄膜层时的温度以及对硅薄膜层进行氧化时的温度均低于SiC衬底晶圆直接氧化所需的温度。本发明实施例提供的技术方案，低温工艺和外延生长的硅薄膜层减少了C原子的外扩和O原子扩散进SiC中的几率，减小了SiOxCy的过渡区宽度，使得缺陷密度减小，从而减少了对载流子的散射，提高了反型沟道的迁移率，使SiC功率MOSFET器件整体性能得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | sic 功率 mosfet 器件 氧化 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种SiC功率MOSFET器件的栅氧化层的制备方法，其特征在于，包括：在SiC衬底晶圆的表面，形成介质层；其中，所述SiC衬底晶圆与所述介质层之间还包括SiC外延层；刻蚀所述介质层，得到暴露出所述SiC外延层的栅区域窗口；在所述栅区域窗口外延生长硅薄膜层，在所述栅区域窗口外的所述介质层上形成多晶硅或非晶硅；对所述硅薄膜层进行氧化，形成栅氧化层；其中，外延生长硅薄膜层时的温度以及对所述硅薄膜层进行氧化时的温度均低于SiC衬底晶圆直接氧化所需的温度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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