[发明专利]一种AC耦合电容参考平面的仿真设计方法在审
| 申请号： | 201611071785.7 | 申请日： | 2016-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN106529077A | 公开（公告）日： | 2017-03-22 |
| 发明（设计）人： | 刘强进;张长林 | 申请（专利权）人： | 郑州云海信息技术有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 济南信达专利事务所有限公司37100 | 代理人： | 刘继枝 |
| 地址： | 450000 河南省郑州市*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种AC耦合电容参考平面的仿真设计方法，步骤如下，S1、构建PCB模型，阻抗孔的挖孔尺寸自与pad等大逐次增加2mi l直到电容下方整体挖空；S2、利用Sigrity Power SI提取PCB S参数，然后将S参数导入Hspice进行TDR阻抗仿真，得到TDR阻抗仿真曲线及电容处TDR阻抗仿真曲线；S3、提取470ps处阻抗，得出7种case所对应阻抗值，绘制阻抗变化曲线S4、进行仿真结果分析。本发明的有益效果如下1、通过对比多种椭圆洞挖孔方式，找到阻抗连续性效果最好的挖孔面积，可保证链路的阻抗连续性，可达到信号完整性的目的。2、本发明就具体挖椭圆洞大小进行研究，得出最佳的挖孔面积，该发明可操作性强，易于在设计和制作中实现，可广泛应用于高速PCB设计领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ac 耦合 电容 参考 平面 仿真 设计 方法 | ||
【主权项】：
一种AC耦合电容参考平面的仿真设计方法，其特征在于，具体方法步骤如下：S1、构建PCB模型，阻抗孔的挖孔尺寸自与pad等大逐次增加2mil直到电容下方整体挖空；S2、利用Sigrity Power SI提取PCB S参数，然后将S参数导入Hspice进行TDR阻抗仿真，得到TDR阻抗仿真曲线及电容处TDR阻抗仿真曲线；S3、提取470ps处阻抗，得出7种case所对应阻抗值，绘制阻抗变化曲线：S4、进行仿真结果分析。
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