[发明专利]一种硅锗纳米线的制作方法在审
| 申请号： | 201611072423.X | 申请日： | 2016-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN106653566A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 刘丽蓉;王勇;丁超 | 申请（专利权）人： | 东莞市广信知识产权服务有限公司;东莞华南设计创新院 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 广东莞信律师事务所44332 | 代理人： | 曾秋梅 |
| 地址： | 523000 广东省东莞市松山湖高新*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公布了一种硅锗纳米线的制作方法，其步骤如下(1)准备一硅半导体材料作为基片；(2)在该硅基片上生长35纳米厚的硅锗半导体材料层；(3)在硅锗半导体材料层上生长SiO2介质层30纳米；(4)采用电子束光刻和ICP刻蚀的方法刻蚀出30纳米宽的SiO2纳米线；(5)以SiO2为掩膜刻蚀硅锗材料层和硅衬底；(6)采用氧气氛围下450度退火的方式，氧化该样品；(7)采用氢氟酸溶液腐蚀样品，腐蚀掉氧化硅；(8)循环进行步骤(6)和(7)5‑6次；(9)采用盐酸和氨水清洗样品，制成硅锗纳米线。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 制作方法 | ||
【主权项】：
一种硅锗纳米线的制作方法，其步骤如下：(1)准备一硅半导体材料作为基片；(2)在该硅基片上采用超高真空化学汽相沉积的方法生长30纳米厚的硅锗半导体材料层；(3)在硅锗半导体材料层上采用PECVD的方法生长SiO2介质层30纳米；(4)采用电子束光刻和ICP刻蚀的方法刻蚀出30纳米宽的SiO2纳米线；(5)以SiO2为掩膜刻蚀硅锗材料层和硅衬底；(6)在氧气氛围的退化炉内，在450度退火温度下，对样品进行退火，时间为1分钟；(7)采用1：50的稀释的氢氟酸水溶液腐蚀样品，腐蚀掉氧化硅，腐蚀的时间为2分钟；(8)循环进行步骤(6)和(7)5‑6次；(9)采用盐酸和氨水清洗样品，制成硅锗纳米线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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