[发明专利]一种非易失性阻变存储器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201611072653.6 | 申请日： | 2016-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN106784308A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 赵鸿滨;张国成;屠海令;魏峰 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司11246 | 代理人： | 朱琨 |
| 地址： | 100088 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种非易失性阻变存储器件及其制备方法，属于半导体存储器技术领域。该阻变存储器件包括底电极层铌掺杂钛酸锶、顶电极层Ta金属以及位于所述底电极和顶电极之间的阻变存储功能层，其中，阻变存储功能层材料由在底电极上外延生长超薄CeO2薄膜和一层二元金属氧化物HfOx薄膜构成。本发明还公开了非易失性阻变存储器件的制备方法。本发明采用HfOx薄膜和外延生长超薄CeO2薄膜双层薄膜做为阻变功能层，获得的阻变存储器件具有功耗低、器件工作稳定性高、非易失性的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 非易失性阻变 存储 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性阻变存储器件，包括底电极层铌掺杂钛酸锶NSTO、顶电极层Ta金属以及位于所述底电极和顶电极之间的阻变存储功能层，其特征在于：阻变存储功能层由在底电极上外延生长超薄CeO2薄膜和一层二元金属氧化物HfOx薄膜构成。
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