[发明专利]超结器件的制造方法及器件结构

摘要

本发明公开了一种超结器件的制造方法，包括步骤：在第一导电类型外延层中形成沟槽；进行带角度的侧壁离子注入并在沟槽的侧壁的选定区域中形成第一导电类型掺杂增加区；在沟槽中填充第二导电类型外延层；进行退火，利用第二导电类型杂质在第一导电类型掺杂增加区处和外的横向扩散速率不同在第一导电类型掺杂增加区处形成第二导电类型柱的侧面凹进结构，通过所述侧面凹进结构提高超结器件的反向恢复的软度因子。本发明还公开了一种超结器件。本发明超结结构采用沟槽填充工艺形成且能提高超结器件的反向恢复的软度因子。

主权项

一种超结器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在第一导电类型外延层中形成沟槽；步骤二、进行带角度的侧壁离子注入，所述侧壁离子注入至少包括一次第一导电类型离子注入，所述侧壁离子注入在所述沟槽的侧壁的选定区域中增加第一导电类型掺杂，令该选定区域为第一导电类型掺杂增加区；步骤三、在所述沟槽中填充第二导电类型外延层，由所述沟槽中的第二导电类型外延层组成第二导电类型柱，由各所述第二导电类型柱之间的所述第一导电类型外延层组成第一导电类型柱，由所述第一导电类型柱和所述第二导电类型柱交替排列形成超结结构，每一所述第一导电类型柱和其邻近的所述第二导电类型柱组成一个超结单元；步骤四、进行退火，在所述退火过程中所述第二导电类型柱的第二导电类型杂质会进行横向扩散，在所述第一导电类型掺杂增加区处的所述第二导电类型柱的第二导电类型杂质的横向扩散速率小于所述第一导电类型掺杂增加区外的所述第二导电类型柱的第二导电类型杂质的横向扩散速率，从而在所述第一导电类型掺杂增加区处形成所述第二导电类型柱的侧面凹进结构，该侧面凹进结构由退火扩散形成并具有葫芦圈结构的凹进区的形状，通过所述侧面凹进结构提高超结器件的反向恢复的软度因子。