[发明专利]一种光子晶体纳米流体传感器、其制备方法及应用有效
| 申请号： | 201611073288.0 | 申请日： | 2016-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN106646681B | 公开（公告）日： | 2018-04-10 |
| 发明（设计）人： | 陈幼平;彭望;艾武;张代林;张冈;谢经明 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G02B1/00 | 分类号： | G02B1/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心42201 | 代理人： | 周磊 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明属于传感器领域，并公开了一种基于微电子机械系统的光子晶体纳米流体传感器，包括光刻胶层、硅晶片基底、第一折射率材料薄膜层、第二折射率材料薄膜层和聚合物材料封接层，所述第二折射率材料薄膜层的顶端设置有方波形的光栅结构，所述光栅结构包括多个通槽和多个凸起并且它们交替排列，所述光刻胶层、硅晶片基底、第一折射率材料薄膜层和第二折射率材料薄膜层共同构成传感器基体层，所述传感器基体层上设置有进流口和出流口本。本传感器为基于光子晶体的纳米流体传感器，成功解决了传统的光子晶体传感器消耗检测物过多、检测时间长、测试精度不高的问题，同时，也消除了传统纳米流体传感器功能单一、结构不稳定、通道少的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光子 晶体 纳米 流体 传感器 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种基于微电子机械系统的光子晶体纳米流体传感器，其特征在于，该光子晶体纳米流体传感器包括按照由下至上的顺序依次设置的光刻胶层、硅晶片基底、第一折射率材料薄膜层、第二折射率材料薄膜层和聚合物材料封接层，所述第一折射率材料铺满所述硅晶片基底的上表面,所述第二折射率材料薄膜层的顶端设置有方波形的光栅结构，所述光栅结构包括多个通槽和多个凸起并且它们交替排列，所述凸起的顶端与所述第一折射率材料薄膜层的底端面接触，所述光刻胶层、硅晶片基底、第一折射率材料薄膜层和第二折射率材料薄膜层共同构成传感器基体层，所述传感器基体层上设置有与所有通槽均连通的进流口和出流口。
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