[发明专利]制作层的方法和器件有效
| 申请号： | 201611073551.6 | 申请日： | 2016-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN106816384B | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | M·米希兹;M·海恩里希;B·艾兴格;M·施内甘斯;S·克里维克 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 11256 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 郑立柱;董典红<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本申请涉及制作层的方法和器件。提供一种制造电子器件的方法，所述方法包括：在衬底中形成至少一个电子组件；形成与所述至少一个电子组件电接触的接触焊盘；其中形成所述接触焊盘包括：在所述衬底之上形成第一层；将所述第一层平坦化以形成所述第一层的平坦化表面；以及在所述平坦化表面之上形成第二层，其中所述第二层具有比所述第一层更低的孔隙度。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 方法 器件 | ||
【主权项】：
1.一种制造电子器件的方法，所述方法包括：/n在衬底中形成至少一个电子组件；/n形成与所述至少一个电子组件电接触的接触焊盘；其中形成所述接触焊盘包括：/n在所述衬底之上形成第一层；/n将所述第一层平坦化以形成所述第一层的平坦化表面；以及/n在所述平坦化表面之上形成第二层，其中所述第二层具有比所述第一层更低的孔隙度。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
