[发明专利]半导体器件和形成半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201611073609.7 | 申请日： | 2016-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN106816375B | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | W·罗布尔;M·福格;M·内尔希贝尔;K·普鲁格尔;C·沙菲尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/322 | 分类号： | H01L21/322;H01L23/29 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱;张宁 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 根据各个实施例，一种装置可以包括：半导体区域；布置在半导体区域之上的金属化层；以及布置在金属化层和半导体区域之间的自组阻挡层，其中自组阻挡层可以包括配置用于从金属化层自离析的第一金属。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体区域；金属化层，被布置在所述半导体区域之上；以及自组阻挡层，被布置在所述金属化层与所述半导体区域之间，其中所述自组阻挡层包括被配置用于从所述金属化层自离析的合金元素。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技奥地利有限公司，未经英飞凌科技奥地利有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611073609.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：执行化学机械研磨制程的方法
- 下一篇：IGBT背面制作方法及IGBT
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
