[发明专利]一种绿光发光二极管的外延片及其生长方法有效
| 申请号： | 201611074323.0 | 申请日： | 2016-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN106711296B | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 杨兰;万林;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电(浙江)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/14;H01L33/32 |
| 代理公司： | 11138 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 徐立<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种绿光发光二极管的外延片及其生长方法，属于半导体技术领域。所述外延片包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在所述蓝宝石衬底上的缓冲层、未掺杂GaN层、N型层、多量子阱层、P型电子阻挡层、P型层和P型接触层，所述P型电子阻挡层包括若干依次层叠的子层，所述子层包括InxAl1‑xN层和层叠在所述InxAl1‑xN层上的InyAlzGa1‑y‑zN层，0＜x＜1，0＜y＜1，0＜z＜1。本发明通过P型电子阻挡层中In组分可以改善P型电子阻挡层与InGaN量子阱层之间的晶格失配，有利于电子溢流，增加空穴的注入效率，提高绿光发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 绿光发光二极管 蓝宝石 依次层叠 外延片 衬底 子层 半导体技术领域 空穴 未掺杂GaN层 多量子阱层 发光效率 晶格失配 量子阱层 注入效率 缓冲层 溢流 生长 | ||
【主权项】：
1.一种绿光发光二极管的外延片，所述外延片包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在所述蓝宝石衬底上的缓冲层、未掺杂GaN层、N型层、多量子阱层、P型电子阻挡层、P型层和P型接触层，其特征在于，所述P型电子阻挡层包括若干依次层叠的子层，所述子层包括InxAl1-xN层和层叠在所述InxAl1-xN层上的InyAlzGa1-y-zN层，0＜x＜1，0＜y＜1，0＜z＜1；/n所述InxAl1-xN层中In组分含量为30％，所述InxAl1-xN层中Al组分含量为70％，所述InyAlzGa1-y-zN层中In组分含量为5％，所述InyAlzGa1-y-zN层中Al组分含量沿所述外延片的层叠方向依次为40％、30％、20％、10％、20％、30％、40％；/n或者，所述InxAl1-xN层中In组分含量为30％，所述InxAl1-xN层中Al组分含量为70％，所述InyAlzGa1-y-zN层中In组分含量沿所述外延片的层叠方向依次为20％、30％、40％、50％、40％、30％、20％，所述InyAlzGa1-y-zN层中Al组分含量沿所述外延片的层叠方向依次为40％、30％、20％、10％、20％、30％、40％。/n
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