[发明专利]单闸极多次写入非挥发性内存的操作方法

摘要

本发明公开了一种单闸极多次写入非挥发性内存的操作方法，此非挥发性内存为单浮接闸极，其在半导体基底上设置晶体管及电容结构，晶体管于导电闸极两侧的半导体基底内具有两个离子掺杂区作为源极和汲极，电容结构如同晶体管结构，并具有轻掺杂汲极来当作电容，使得写入时可以使用最少的控制电压种类及最少的元件，以大幅减少控制线路，达到缩小整体面积的目的，从而减少非挥发性内存的成本。

主权项

1.一种单闸极多次写入非挥发性内存的操作方法，该非挥发性内存包括一P型半导体基底、一晶体管与一电容结构，该晶体管与该电容结构设置于该P型半导体基底，该晶体管包括一第一介电层、一第一导电闸极与多个离子掺杂区，该第一介电层位于该P型半导体基底表面，该第一导电闸极迭设于该第一介电层上，该多个离子掺杂区设于该半导体基底内并于该第一导电闸极的两侧分别形成源极及汲极，该电容结构是由一第二介电层、一轻掺杂区与一第二导电闸极所构成，该第二介电层位于P型该半导体基底表面，该第二导电闸极迭设于该第二介电层上，该轻掺杂区设于该半导体基底内并位于该第二介电层一侧以形成一轻掺杂汲极，该轻掺杂区与该多个离子掺杂区掺杂有同型的离子，该第一导电闸极与该第二导电闸极电连接而形成一单浮接闸极，其特征在于，该操作方法包含以下步骤：/n于该P型半导体基底、该源极、该汲极与该轻掺杂汲极上分别施加一基底电压V