[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201611074914.8 | 申请日： | 2016-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN107068755B | 公开（公告）日： | 2019-12-27 |
| 发明（设计）人： | 让-皮埃尔·科林格;卡洛斯·H·迪亚兹 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/417;H01L21/336 |
| 代理公司： | 11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 一种半导体器件包含设置于衬底上方的鳍结构、栅极结构及源极。鳍结构包含暴露于隔离绝缘层的上层。栅极结构设置于鳍结构的上层的一部分上方。源极包含未被栅极结构覆盖的鳍结构的上层。源极的鳍结构的上层由晶体半导体层覆盖。晶体半导体层由Si和第一金属元素形成的硅化物层覆盖。硅化物层由第一金属层覆盖。由第一金属元素制成的第二金属层置于第一金属层和隔离绝缘层之间。本发明实施例涉及半导体器件及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 鳍结构 栅极结构 上层 源极 晶体半导体层 半导体器件 第一金属层 隔离绝缘层 硅化物层 金属元素 覆盖 第二金属层 衬底 暴露 制造 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造包含FinFET的半导体器件的方法，所述方法包括：/n在衬底的上方形成第一鳍结构和第二鳍结构，所述第一鳍结构和第二鳍结构沿第一方向延伸并从隔离绝缘层突出；/n在所述第一鳍结构和第二鳍结构的部分的上方形成栅极结构，所述栅极结构沿与所述第一方向垂直的第二方向延伸；/n在未被所述栅极结构覆盖的各个所述第一鳍结构和第二鳍结构的两个主侧面上形成侧壁间隔件；/n在所述侧壁间隔件上形成第一金属层，以填充所述第一鳍结构和第二鳍结构之间的间隔；/n在形成所述第一金属层后，去除所述侧壁间隔件；/n在去除所述侧壁间隔件后，形成与所述鳍结构接触的非晶层；/n通过部分再结晶所述鳍结构上的所述非晶层形成再结晶层；/n去除未再结晶的剩余的非晶层；/n在去除所述剩余的非晶层后，形成第二金属层，以及/n通过所述再结晶层和所述第一金属层及所述第二金属层之间的硅化反应形成硅化物层。/n
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