[发明专利]一种亚波长结构平凸微透镜阵列的制作工艺在审
申请号: | 201611075352.9 | 申请日: | 2016-11-30 |
公开(公告)号: | CN106501884A | 公开(公告)日: | 2017-03-15 |
发明(设计)人: | 赵青;林恩;黄小平;焦蛟;梁高峰;童继生 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | G02B3/00 | 分类号: | G02B3/00 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心51203 | 代理人: | 闫树平 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明属于微纳光学以及光束整形领域,具体为一种亚波长结构平凸微透镜阵列的制作工艺。本发明基于光刻胶热回流法改进,通过对正性光刻胶材料曝光、显影、刻蚀以及精确计算工艺时长来实现对微透镜形貌的有效控制,在基片上制作出曲率半径更小的、更加密集的微透镜阵列,进而实现微透镜光束准直和光功率耦合增强。本发明具有体积小、结构简单、制作工艺成熟和实验重复性好等优点,且能够增强光源的输出功率、实现对光源的聚焦、准直。 | ||
搜索关键词: | 一种 波长 结构 平凸微 透镜 阵列 制作 工艺 | ||
【主权项】:
一种亚波长结构平凸微透镜阵列的制作工艺,包括以下步骤:步骤1、清洗微透镜基片;步骤2、为增强基片的对光刻胶的额粘附性,对其进行预处理即在基片绝缘面涂覆一层有机化合物的粘结助剂;步骤3、依据光刻胶的折射率和所需设计微透镜的尺寸,计算得到光刻胶的厚度,进而旋涂正性光刻胶;步骤4、利用紫外曝光设备对基片进行曝光,全曝光直到光刻胶变形,呈现出微透镜阵列;曝光采用与所需设计微透镜相匹配的掩膜版;步骤5、热熔成型,加热使得步骤4所得光刻胶微透镜阵列由圆柱形结构变为球冠结构;步骤6、将步骤5得到的光刻胶微透镜阵列形状往下刻蚀转移到基片上,采用反应离子刻蚀RIE或感应耦合离子刻蚀ICP,最终得到所需微透镜阵列。
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