[发明专利]SiC单晶及其制造方法有效
| 申请号： | 201611075636.8 | 申请日： | 2016-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN106884205B | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 旦野克典 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B11/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及SiC单晶及其制造方法。提供不含多晶、除侧面端部外不含裂纹的SiC单晶。SiC单晶的制造方法，其是使保持于晶种保持轴(12)下端面的晶种基板(14)与配置在坩埚(10)内的具有从内部向液面温度降低的温度梯度的Si‑C溶液(24)接触从而使SiC单晶晶体生长的SiC单晶的制造方法，其中，晶种保持轴(12)的端面的外形小于晶种基板(14)的顶面的外形，晶种基板(14)的顶面具有与晶种保持轴(12)的下端面的整个面相接而被保持的中央部(15)、和不与晶种保持轴(12)的下端面相接的外周部(16)，该方法包括：在晶种基板(14)的顶面配置碳片材(30)，使得覆盖中央部(15)和外周部(16)中的至少外周部(16)。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶 晶种基板 晶种 外周部 中央部 制造 顶面 下端 侧面端部 单晶晶体 温度降低 温度梯度 下端面 整个面 多晶 配置 碳片 液面 坩埚 生长 覆盖 | ||
【主权项】：
1.SiC单晶的制造方法，其是使保持于晶种保持轴的下端面的晶种基板与配置在坩埚内的具有从内部向液面温度降低的温度梯度的Si‑C溶液接触从而使SiC单晶晶体生长的SiC单晶的制造方法，其中，所述晶种基板的顶面具有与所述晶种保持轴的所述下端面的整个面相接而被保持的中央部、和不与所述晶种保持轴的所述下端面相接的外周部，该制造方法包括：在所述晶种基板的所述顶面配置碳片材，使得覆盖所述中央部和所述外周部中的至少所述外周部。
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