[发明专利]一种抗PID效应的太阳能电池

摘要

本发明涉及一种抗PID效应的太阳能电池，其包括有晶体硅衬底、绒面、扩散发射结以及依次沉积在晶体硅衬底上的四层钝化减反射膜，第一层为非晶硅层，厚度为5‑8nm，第二层为SiNx，折射率为2.25‑2.35，厚度为6‑9nm，第三层SiNx的折射率为1.95‑2.05，厚度为60‑70nm，第四层为氧化铝，折射率为1.75‑1.85，厚度为3‑9nm。本发明抗PID效应效果好，并能够在传统氮化硅镀膜设备基础上进行生产，成本低。

主权项

1.一种抗PID效应的太阳能电池，包括硅片、绒面、扩散发射结和电极，其特征在于，在所述扩散发射结表面有四层钝化减反射膜，第一层为非晶硅层，厚度为5‑8nm，第二层为SiNx，折射率为2.25‑2.35，厚度为6‑9nm，第三层SiNx的折射率为1.95‑2.05，厚度为60‑70nm，第四层为氧化铝，折射率为1.75‑1.85，厚度为3‑9nm,所述的非晶硅层为采用管式或板式等离子化学气相沉积方法制备得到的膜，所述的SiNx为采用管式或板式等离子化学气相沉积方法制备得到的膜，所述的氧化铝为等离子体增强化学气相沉积法或原子层沉积法制备得到的氧化铝，所述硅片为多晶硅片，所述第一层为非晶硅层，厚度为7nm，第二层为SiNx，折射率为2.3，厚度为9nm，第三层SiNx的折射率为2.0，厚度为65nm，第四层为氧化铝，折射率为1.8，厚度为4nm。