[发明专利]一种槽型栅功率场效应晶体管

摘要

本发明公开了一种槽型栅功率场效应晶体管，包括：衬底、外延层、栅极结构、第一阱区和第二阱区，其中，栅极结构包括：槽型栅极和包围槽型栅极的栅氧化层；其中，衬底、外延层和第二阱区的掺杂类型均为第一掺杂类型；第一阱区的掺杂类型为第二掺杂类型；第二阱区与源极导通连接，衬底与漏极导通连接；其中，沿垂直于衬底表面的方向，第二阱区与外延层之间被栅极结构填充，以减少所述第二阱区远离所述外延层表面一侧的寄生电阻。本发明提供的器件，用以解决现有技术中对槽型栅功率场效应晶体管的雪崩耐量能力的优化技术，由于优化效果弱，仍然存在器件雪崩可靠性差的技术问题。实现了大大提高器件的雪崩耐量可靠性水平的技术效果。

主权项

1.一种槽型栅功率场效应晶体管，其特征在于，包括：衬底、外延层、栅极结构、位于所述外延层表面的第一阱区和位于所述第一阱区表面的第二阱区，其中，所述栅极结构包括：槽型栅极和包围所述槽型栅极的栅氧化层；其中，所述衬底、所述外延层和所述第二阱区的掺杂类型均为第一掺杂类型；所述第一阱区的掺杂类型为第二掺杂类型；所述第二阱区与源极导通连接，所述衬底与漏极导通连接；其中，沿垂直于所述衬底表面的方向，所述第二阱区与所述外延层之间被所述栅极结构填充，以减少所述第二阱区远离所述外延层表面一侧的寄生电阻；其中，所述栅极结构位于所述第二阱区下的区域横向展宽，所述栅极结构的展宽宽度大于等于所述晶体管的两个第二阱区的最远距离，使所述第二阱区下方的区域被所述栅极结构所完全填充。