[发明专利]一种新型晶体硅太阳能电池结构及其制造工艺在审
| 申请号： | 201611075951.0 | 申请日： | 2016-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN106409925A | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 郭群超;王珺;朱红英 | 申请（专利权）人： | 上海电机学院 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海伯瑞杰知识产权代理有限公司31227 | 代理人： | 余晨波 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型晶体硅太阳能电池结构，包括单晶硅片，在所述单晶硅片一面设有背反射层，在所述单晶硅片的另一面设有绒面和减反射膜结构，在所述单晶硅片的一端设有正电极，单晶硅片的另一端设有负电极，在所述正电极的内侧设有P+掺杂层，在所述负电极的内侧设有N+掺杂层，在所述单晶硅片上还设有若干PN结结构，所述PN结结构包括P+掺杂层和N+掺杂层，所述P+掺杂层和N+掺杂层纵向设置在单晶硅片上，且所述P+掺杂层和N+掺杂层的角度与入射光平行。本发明采用了激光掺杂的办法形成了纵向的PN结，使太阳光直接入射到单晶硅吸收层，有效避免了常规电池的P+掺杂层和N+掺杂层对太阳光的吸收造成的光损失，从而有效提高电池的转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 晶体 太阳能电池 结构 及其 制造 工艺 | ||
【主权项】：
一种新型晶体硅太阳能电池结构，其特征在于，包括单晶硅片，在所述单晶硅片的一面设有背反射层，在所述单晶硅片的另一面设有绒面和减反射膜结构，在所述单晶硅片的一端设有正电极，单晶硅片的另一端设有负电极，在所述正电极的内侧设有P+掺杂层，在所述负电极的内侧设有N+掺杂层，在所述单晶硅片上还设有若干PN结结构，所述PN结结构包括P+掺杂层和N+掺杂层，所述P+掺杂层和N+掺杂层纵向设置在单晶硅片上，且所述P+掺杂层和N+掺杂层的角度与入射光平行。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
