[发明专利]一种制备过渡金属硫属化合物纳米薄片的方法和二硫化钒、二硒化钒纳米薄片

摘要

本发明公开了一种利用化学气相沉积制备金属性过渡金属硫属化合物纳米薄片的方法，包括：1)在相对于基底的气流上游依次放置三氯化钒粉末和硫属单质，后去除残留的空气；2)通入气体，在气流稳定后，将硫属单质、三氯化钒和基底分别加热至不同温度，之后恒温，在基底上生长得到金属性过渡金属硫属化合物纳米薄片。本发明的方法还可以实现这两种材料的纳米级厚度薄片的可控合成。本发明还公开了利用前述方法制备得到的具有特定厚度和尺寸的纳米薄片。

主权项

1.一种制备过渡金属硫属化合物纳米薄片的方法，包括以下步骤：1)在相对于基底的气流上游依次放置过渡金属所成盐的粉末和硫属单质，后去除残留的空气；2)通入载流气体，在气流稳定后，将硫属单质、过渡金属所成盐和基底分别加热至不同温度，之后恒温，在基底上生长得到金属性过渡金属硫属化合物纳米薄片；所述基底为硅片或云母片；硫属单质距离过渡金属所成盐3～5厘米，过渡金属所成盐距离基底6～9厘米或12～15厘米，其中硫属单质与过渡金属所成盐的质量比为80:1或60:1，所述硫属单质包括硫和硒；所述硫属单质为硫时，硫、过渡金属所成盐和硅片的最终温度分别为250‑275℃，275℃‑300℃和600‑620℃，恒温时间为5‑10分钟；所述硫属单质硒时，硒、过渡金属所成盐和硅片的最终温度分别为355‑370℃，370‑395℃和600‑620℃，恒温时间为1‑5分钟；所述过渡金属为钒、钼或钛。