[发明专利]一种湿法刻蚀装置在审
| 申请号： | 201611076132.8 | 申请日： | 2016-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN108122806A | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 王小鹏;金晨 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种湿法刻蚀装置，包含刻蚀腔壳体，刻蚀剂喷洒装置，废汽排出装置，晶圆夹持装置，废液回收装置，其特征在于，所述废汽排出装置设置在腔室下方自上而下将废汽排出。根据本发明所描述湿法刻蚀装置在湿法刻蚀过程中可减少汽态反应液、反应产物和/或去离子水在刻蚀腔中的凝结，有效回收刻蚀腔反应中液体，保证刻蚀腔室内气氛干燥，同时减少刻蚀反应中的液体不规则飞溅，减少液体在晶圆表面的残留，从而减少刻蚀晶圆良率的下降。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀腔 湿法刻蚀装置 废汽 排出装置 刻蚀 废液回收装置 晶圆夹持装置 晶圆表面 喷洒装置 去离子水 湿法刻蚀 室内气氛 有效回收 不规则 刻蚀剂 飞溅 晶圆 壳体 良率 排出 汽态 腔室 残留 凝结 保证 | ||
【主权项】：
一种湿法刻蚀装置，其特征在于，包含刻蚀腔壳体，刻蚀剂喷洒装置，废汽排出装置，晶圆夹持装置，废液回收装置，其中，所述废汽排出装置设置在腔室下方自上而下将废汽排出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
