[发明专利]执行封装后修复操作的存储器设备有效

专利信息
申请号: 201611076928.3 申请日: 2016-11-29
公开(公告)号: CN107039083B 公开(公告)日: 2021-04-16
发明(设计)人: 李圣镇;郑柱衍;李琉婷 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C29/00 分类号: G11C29/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 邵亚丽
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种存储器设备包括:存储器单元阵列,其包括连接到字线和位线的存储器单元、以及连接到冗余字线和位线的冗余存储器单元;以及控制逻辑,其被配置成控制由存储器设备进行的封装后修复操作的执行。控制逻辑包括PPR控制电路,所述PPR控制电路响应于正常PPR命令而在正常PPR操作期间将坏行地址编程到非易失性存储器,并且响应于快速PPR命令而在快速PPR操作期间将坏行地址编程到易失性存储器,并且用与冗余字线相关联的冗余行替换在存储器单元阵列中的坏行。
搜索关键词: 执行 封装 修复 操作 存储器 设备
【主权项】:
一种存储器设备,其从存储器控制器接收指定与坏字线相关联的坏行的坏行地址,以及正常封装后修复(PPR)命令和快速PPR(sPPR)命令中的一个命令,所述存储器设备包括:存储器单元阵列,其包括连接到字线和位线的存储器单元、以及连接到冗余字线和所述位线的冗余存储器单元;以及控制逻辑,其被配置成控制由存储器设备进行的PPR操作的执行,其中所述控制逻辑包括PPR控制电路,所述PPR控制电路响应于所述正常PPR命令而在正常PPR操作期间将所述坏行地址编程到非易失性存储器,并且响应于所述快速PPR命令而在快速PPR操作期间将所述坏行地址编程到易失性存储器,并且用与所述冗余字线相关联的冗余行替换在所述存储器单元阵列中的所述坏行。
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