[发明专利]半导体器件及制造其的方法有效
| 申请号： | 201611077777.3 | 申请日： | 2016-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN107546268B | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 千大焕;郑永均;李钟锡;金英俊;金台曅;禹赫 | 申请（专利权）人： | 现代自动车株式会社;现代摩比斯株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件，包括：n‑型层，其设置在n+型碳化硅衬底的第一表面上；第一沟槽，其在n‑型层中形成；p型区域，其设置在第一沟槽的两个侧表面上；n+型区域，其设置在第一沟槽的两个侧表面上，并且设置在n‑型层和p型区域上；栅极绝缘层，其设置在第一沟槽内侧；栅电极，其设置在栅极绝缘层上；氧化物层，其设置在栅电极上；源电极，其设置在氧化物层和n+区域上；以及漏电极，其设置在n+型碳化硅衬底的第二表面上，其中作为累积层沟道的第一沟道和作为反型层沟道的第二沟道设置在第一沟槽的两个侧表面中，并且第一沟道和第二沟道被设置成在n+型碳化硅衬底的第一表面的水平方向上相邻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其包括：n‑型层，其设置在n+型碳化硅衬底的第一表面上；第一沟槽，其在所述n‑型层中形成；p型区域，其设置在所述第一沟槽的两个侧表面上；n+型区域，其设置在所述第一沟槽的两个侧表面上，并且设置在所述n‑型层和所述p型区域上；栅极绝缘层，其设置在所述第一沟槽内侧；栅电极，其设置在所述栅极绝缘层上；氧化物层，其设置在所述栅电极上；源电极，其设置在所述氧化物层和所述n+区域上；以及漏电极，其设置在所述n+型碳化硅衬底的所述第二表面上，其中作为累积层沟道的第一沟道和作为反型层沟道的第二沟道设置在所述第一沟槽的两个侧表面中，并且所述第一沟道和所述第二沟道被设置成在所述n+型碳化硅衬底的所述第一表面的水平方向上相邻。
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