[发明专利]一种高功率双端口输出的硅基可调谐外腔激光器有效
| 申请号： | 201611077804.7 | 申请日： | 2016-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN106785882B | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 汤学胜;陈义宗;钱坤;胡毅;曹薇;焰烽;马卫东 | 申请（专利权）人： | 武汉光迅科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;H01S5/06;H01S5/14 |
| 代理公司： | 北京天奇智新知识产权代理有限公司 11340 | 代理人： | 杨文录 |
| 地址： | 430205 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高功率双端口输出的硅基可调谐外腔激光器，其采用混合集成方案，使用低成本低损耗的硅基微环波导芯片作为外腔中波长调节单元，与III‑V族反射型半导体增益管芯通过两个准直透镜实现端面耦合，结构简单，克服了单片集成半导体激光器复杂的工艺限制，外腔中无活动部件，有效地提高了可靠性和稳定性。通过对硅基微环波导芯片结构的优化设计，大大降低了激光在硅基波导微环谐振腔中非线性光学效应产生机率，提高了该结构激光器允许输出的最大光功率。外腔准直光路中带通滤波器的加入，有效地降低了对硅基微环波导芯片的技术要求，可提高耦合封装的效率、适合于低成本批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 端口 输出 硅基可 调谐 激光器 | ||
【主权项】：
一种高功率双端口输出的硅基可调谐外腔激光器，所述激光器包括光探测器(1)、反射型半导体增益芯片(2)、准直透镜(3)、波导耦合透镜(6)、硅基微环芯片(7)；其中，所述反射型半导体增益芯片(2)的两端面分别镀有高反射膜与增透膜，所述光探测器(1)设置于所述反射型半导体增益芯片(2)的镀有高反射膜的一侧，所述准直透镜(3)、波导耦合透镜(6)和硅基微环芯片(7)依次同光轴设置于所述反射型半导体增益芯片(2)镀有增透膜的一侧；其特征在于：所述硅基微环芯片(7)与所述反射型半导体增益芯片(2)镀有高反膜的端面之间形成该硅基可调谐外腔激光器的谐振腔，所述准直透镜(3)和波导耦合透镜(6)之间进一步设置有带通滤波器(5)，所述带通滤波器(5)的通带光谱宽度小于所述反射型半导体增益芯片(2)的增益谱谱宽。
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