[发明专利]一种高质量氧化镓晶片的制备方法与应用有效
| 申请号： | 201611078605.8 | 申请日： | 2016-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN106783944B | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | 陶绪堂;贾志泰;穆文祥;尹延如;张健 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/24;H01L21/02 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 杨磊 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高质量氧化镓晶片的制备方法与应用，包括步骤如下：(1)将氧化镓单晶切割得到体块单晶，在特定气氛下进行退火处理，退火温度800‑1200℃，退火时间5‑100h，退火气氛为氩气或氢气；(2)将退火处理后的体块单晶在侧面或侧棱上划痕，放入水中，然后用刀片从划痕处切开，缓慢把晶片从体块单晶上分离，得到高质量氧化镓晶片。本发明方法操作简单，容易实现氧化镓晶片的机械剥离，得到的氧化镓晶片不会断裂，晶片尺寸较大，而且晶片质量较高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 质量 氧化 晶片 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种高质量氧化镓晶片的制备方法，包括步骤如下：(1)体块单晶预处理将氧化镓单晶切割得到体块单晶，在特定气氛下进行退火处理，退火温度800‑1200℃，退火时间5‑100h，退火气氛为氩气或氢气；(2)机械剥离将退火处理后的体块单晶在侧面或侧棱上划痕，放入水中，然后用刀片从划痕处切开，缓慢把晶片从体块单晶上分离，得到高质量氧化镓晶片。
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