[发明专利]一种单晶片制作高压恒流IC方法

摘要

本发明公开了一种单晶片制作高压恒流IC方法，将N型单晶片进行单面抛光；进行光刻和淡P型(P‑)扩散处理；将光刻和扩散处理后的单晶片进行淡N型（N‑）掺杂操作；进行栅氧化、多晶沉淀和多晶光刻腐蚀操作；正面浓N型（N+）光刻、掺杂、扩散；进行正面金属淀积、光刻和刻蚀；进行背面注入操作；进行背面减薄、背面注入操作，完成退火和背面金属化，进而完成高压恒流IC的制作，本发明制作的工艺简单，成本更省，产品性能更加可靠；采用单晶片制作高压恒流IC，高电压很容易实现，制作工艺比已有技术简单，成本更省。

主权项

1.一种单晶片制作高压恒流IC方法，其特征在：具体包含如下步骤：步骤1，将N型单晶片进行单面抛光；步骤2，将步骤1抛光处理后的N型单晶片进行光刻和扩散处理；步骤3，将步骤2光刻和扩散处理后的N型单晶片进行掺杂操作；步骤4，将步骤3掺杂操作后的N型单晶片进行栅氧化、多晶沉淀和多晶光刻腐蚀操作；步骤5，将步骤4进行栅氧化、多晶沉淀和多晶光刻腐蚀操作后的N型单晶片进行正面光刻、掺杂、扩散；步骤6，将步骤5正面浓光刻、掺杂、扩散后的N型单晶片进行正面金属淀积、光刻和刻蚀；步骤7，将步骤6获取的N型单晶片进行背面减薄、背面注入操作，完成退火和背面金属化，进而完成高压恒流IC的制作。