[发明专利]用于锂二次电池的阴极、其制造方法以及利用其的锂二次电池在审
| 申请号： | 201611079091.8 | 申请日： | 2016-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN107887574A | 公开（公告）日： | 2018-04-06 |
| 发明（设计）人： | 郑求轸;金映俊;金翰秀;宋珠蕙 | 申请（专利权）人： | 电子部品研究院 |
| 主分类号： | H01M4/1397 | 分类号： | H01M4/1397;H01M4/136;H01M10/052 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司11204 | 代理人： | 王达佐,王艳春 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及能够通过在用于锂二次电池的阴极上形成膜来抑制电沉积过程中的枝晶，从而确保高能量密度、长寿命和稳定性的用于锂二次电池的阴极、其制造方法以及利用该阴极的锂二次电池。根据本发明的用于锂二次电池的阴极的制造方法包括形成基于二氧化硫的钠熔融盐的步骤；以及将集电体浸入基于二氧化硫的钠熔融盐中从而在集电体表面上形成保护层的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 二次 电池 阴极 制造 方法 以及 利用 | ||
【主权项】：
用于锂二次电池的阴极的制造方法，包括：制造基于二氧化硫的钠熔融盐的步骤；以及通过将集电体浸入所述基于二氧化硫的钠熔融盐中，从而在所述集电体表面处形成保护膜的步骤。
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