[发明专利]基于氧化物异质结的极性溶剂化学传感器及制备方法有效
| 申请号： | 201611079255.7 | 申请日： | 2016-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN106645323B | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 叶建东;张彦芳;任芳芳;朱顺明;汤琨;顾书林;张荣;郑有炓 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | G01N27/26 | 分类号： | G01N27/26 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于氧化物异质结的极性溶剂化学传感器，在衬底上制备ZnMgO/ZnO异质结构，通过光刻、热蒸发等半导体工艺在异质结构制作电极，形成肖特基‑欧姆接触的非对称无栅高电子迁移率晶体管(HEMT)结构的化学传感器。ZnMgO/ZnO异质界面形成二维电子气(2DEG)，吸附于器件传感区域的极性溶剂分子可以影响异质界面二维电子气(2DEG)的浓度，通过器件漏源电流的变化，从而实现对多种极性溶剂的探测。 | ||
| 搜索关键词： | 极性溶剂 化学传感器 氧化物异质结 二维电子气 异质结构 异质界面 制备 高电子迁移率晶体管 半导体工艺 传感区域 漏源电流 欧姆接触 电极 非对称 热蒸发 肖特基 衬底 光刻 吸附 探测 制作 | ||
【主权项】：
1.一种基于氧化物异质结的极性溶剂化学传感器，其特征是在衬底上制备ZnMgO/ZnO异质结构，通过光刻或热蒸发半导体工艺在异质结构制作电极，形成肖特基‑欧姆接触的非对称无栅高电子迁移率晶体管（HEMT）结构的化学传感器；衬底为单晶体硅或蓝宝石材料；传感器采用非对称的无栅HEMT结构，一个电极为金属钯与氧化物ZnMgO/ZnO异质结构一端形成肖特基接触，另一电极为金属铝与氧化物ZnMgO/ZnO异质结构另一端形成欧姆接触。
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