[发明专利]在金属箔基底上可控制备低维金属氧化物纳米材料的方法有效
| 申请号： | 201611080557.6 | 申请日： | 2016-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN106591770B | 公开（公告）日： | 2019-02-22 |
| 发明（设计）人： | 程其进;郭斌;渠亚洲;林冠华 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | C23C8/36 | 分类号： | C23C8/36;C23C8/12 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 在金属箔基底上可控制备低维金属氧化物纳米材料的方法，涉及金属氧化物纳米材料。通过等离子体方法在金属箔表面生长出纳米材料，并通过控制温度和通入气体的比例来控制纳米材料的生长。具体步骤：将金属箔打磨去除表面氧化物并清洗后，放入反应装置中并抽真空，然后升温，再通入氩气与氧气并通过两端的电极进行辉光放电，辉光放电结束后，待反应装置冷却到室温便可获得低维金属氧化物纳米材料。可适用于多种不同金属；由能够使得反应物分子实现有效激发、离解和电离，使得反应体系能够在低温下快速进行；可以降低反应温度和减少反应时间。所需加热温度低，反应时间短，可有效降低能耗；工艺简单，成本低廉；生产出的纳米材料形貌可控，质量高。 | ||
| 搜索关键词： | 金属氧化物纳米材料 纳米材料 低维 反应装置 辉光放电 金属箔基 可控制 等离子体 有效降低能耗 表面氧化物 反应时间短 反应物分子 金属箔表面 形貌可控 有效激发 氩气 生长 抽真空 金属箔 电极 电离 放入 离解 加热 去除 打磨 氧气 冷却 清洗 金属 生产 | ||
【主权项】：
1.在金属箔基底上可控制备低维金属氧化物纳米材料的方法，其特征在于其具体步骤如下：将金属箔打磨去除表面氧化物并清洗后，放入反应装置中并抽真空，然后升温，再通入氩气与氧气并通过两端的电极进行辉光放电，辉光放电结束后，待反应装置冷却到室温便可获得低维金属氧化物纳米材料；所述氩气与氧气的体积比为（15～5）︰1；所述升温是升至400～600℃，所述辉光放电采用管式炉。
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